Поставка микросхем памяти от ведущих производителей

Запросить КП!

KLM8G1GEUF‑B04P — eMMC 5.1, 8 ГБ, HS400, 153‑pin FBGA

Артикул
KLM8G1GEUF-B04P
Производитель
Samsung
Рабочая температура
−40…+85 °C (рабочий), −40…+85 °C (хранение)
Объем памяти
8 ГБ (64 Гбит)
Тип памяти
eMMC 5.1 (JEDEC‑стандарт)
Тип корпуса
153‑pin FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
11,5×13×0,8 мм
Рабочее напряжение
для контроллера (VCCQ): 1,7–1,95 В / для NAND (VCCF): 2,7–3,6 В
Скорость и частота
HS400 (High Speed 400), тактовая частота до 200 МГц
шт
Подписаться

LM4G1FETE‑B041 — eMMC 5.1, 4 ГБ, HS400, 153‑pin FBGA

Артикул
KLM4G1FETE-B041
Производитель
Samsung
Рабочая температура
−25…+85 °C (рабочий), −40…+85 °C (хранение)
Объем памяти
4 ГБ (32 Гбит)
Напряжение питания
1,8 В или 3,3 В для интерфейса (VCCQ), 3,3 В для массива NAND (VCC); диапазоны: VCCQ 1,70–1,95 В либо 2,7–3,6 В, VCC 2,7–3,6 В
Тип памяти
eMMC 5.1 (JEDEC‑стандарт)
Тип корпуса
153‑pin FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
11×10×0,8 мм
Скорость и частота
HS400 (High Speed 400)
шт
Подписаться

K4A8G165WC‑BCTD — DDR4 SDRAM 8 Гбит, 2666 MT/s, 1,2 В, 96‑ball FBGA, x16

Артикул
K4A8G165WC-BCTD
Производитель
Samsung
Рабочая температура
0…+85 °C
Объем памяти
8 Гбит (1 ГБ на чип)
Напряжение питания
1,2 В (VDD/VDDQ, диапазон 1,14–1,26 В)
Тип памяти
DDR4 SDRAM (JEDEC)
Тип корпуса
96‑ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
13×15 мм
Скорость и частота
2666 MT/s (PC4‑21300), тактовая частота 1333 МГц
CAS Latency (CL)
CL19 при 2666 MT/s
шт
Подписаться

K4A8G165WC‑BCRC — DDR4 SDRAM 8 Гбит, 2400 MT/s, 1,2 В, 96‑ball FBGA, x16

Артикул
K4A8G165WC-BCRC
Производитель
Samsung
Рабочая температура
0…+85 °C
Объем памяти
8 Гбит (1 ГБ на чип)
Напряжение питания
1,2 В (VDD/VDDQ, диапазон 1,14–1,26 В)
Тип памяти
DDR4 SDRAM (JEDEC)
Тип корпуса
96‑ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
13×15 мм
Скорость и частота
2400 MT/s (PC4‑19200), тактовая частота 1200 МГц
CAS Latency (CL)
CL17 при 2400 MT/s
шт
Подписаться

K4A8G165WB‑BIRC — DDR4 SDRAM 8 Гбит, 2400 MT/s, 1,2 В, 96‑ball FBGA, x16

Артикул
K4A8G165WB-BIRC
Производитель
Samsung
Рабочая температура
−40…+95 °C
Объем памяти
8 Гбит (1 ГБ на чип)
Напряжение питания
1,2 В (VDD/VDDQ, диапазон 1,14–1,26 В)
Тип памяти
DDR4 SDRAM (JEDEC)
Тип корпуса
96‑ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
13×15 мм
Скорость и частота
2400 MT/s (PC4‑19200), тактовая частота 1200 МГц
CAS Latency (CL)
CL17 при 2400 MT/s
шт
Подписаться

K4A8G165WB‑BCRC — DDR4 SDRAM 8 Гбит, 2400 MT/s, 1,2 В, 96‑ball FBGA, x16

Артикул
K4A8G165WB-BCRC
Производитель
Samsung
Рабочая температура
0…+85 °C
Объем памяти
8 Гбит (1 ГБ на чип)
Напряжение питания
1,2 В (VDD/VDDQ, диапазон 1,14–1,26 В)
Тип памяти
DDR4 SDRAM (JEDEC)
Тип корпуса
96‑ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
13×15 мм
Скорость и частота
2400 MT/s (PC4‑19200), тактовая частота 1200 МГц
CAS Latency (CL)
CL17 при 2400 MT/s
шт
Подписаться

K4A8G085WC‑BCTD — DDR4 SDRAM 8 Гбит, 2666 MT/s, 1,2 В, 78‑ball FBGA, x8

Артикул
K4A8G085WC-BCTD
Производитель
Samsung
Рабочая температура
0…+85 °C
Объем памяти
8 Гбит (1 ГБ на чип)
Напряжение питания
1,2 В (VDD/VDDQ, диапазон 1,14–1,26 В)
Тип памяти
DDR4 SDRAM (JEDEC)
Тип корпуса
78‑ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
10×13 мм
Скорость и частота
2666 MT/s (PC4‑21300), тактовая частота 1333 МГц
CAS Latency (CL)
CL19 при 2666 MT/s
шт
Подписаться

K4A8G085WB‑BCTD — DDR4 SDRAM 8 Гбит, 2666 MT/s, 1,2 В, 78‑ball FBGA, x8

Артикул
K4A8G085WB-BCTD
Производитель
Samsung
Рабочая температура
0…+85 °C
Объем памяти
8 Гбит (1 ГБ на чип)
Напряжение питания
1,2 В (VDD/VDDQ, диапазон 1,14–1,26 В)
Тип памяти
DDR4 SDRAM (JEDEC)
Тип корпуса
78‑ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
10×13 мм
Скорость и частота
2666 MT/s (PC4‑21300), тактовая частота 1333 МГц
CAS Latency (CL)
CL19 при 2666 MT/s
шт
Подписаться

K4A4G165WE‑BCTD — DDR4 SDRAM 4 Гбит, 2666 MT/s, 1,2 В, 96‑ball FBGA, x16

Артикул
K4A4G165WE-BCTD
Производитель
Samsung
Рабочая температура
0…+85 °C
Объем памяти
4 Гбит (512 МБ на чип)
Напряжение питания
1,2 В (VDD/VDDQ, диапазон 1,14–1,26 В)
Тип памяти
DDR4 SDRAM (JEDEC)
Тип корпуса
96‑ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
12×10 мм
Скорость и частота
2666 MT/s (PC4‑21300), тактовая частота 1333 МГц
CAS Latency (CL)
CL19 при 2666 MT/s
шт
Подписаться

K4A4G165WE‑BCRC — DDR4 SDRAM 4 Гбит, 2400 MT/s, 1,2 В, 96‑ball FBGA, x16

Артикул
K4A4G165WE-BCRC
Производитель
Samsung
Рабочая температура
0…+95 °C
Объем памяти
4 Гбит (512 МБ на чип)
Напряжение питания
1,2 В (VDD/VDDQ, диапазон 1,14–1,26 В)
Тип памяти
DDR4 SDRAM (JEDEC)
Тип корпуса
96‑ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
12×10 мм
Скорость и частота
2400 MT/s (PC4‑19200), тактовая частота 1200 МГц
CAS Latency (CL)
CL17 при 2400 MT/s
шт
Подписаться

K4A4G085WE‑BCTD — DDR4 SDRAM 4 Гбит, 2666 MT/s, 1,2 В, 78‑ball FBGA, x8

Артикул
K4A4G085WE-BCTD
Производитель
Samsung
Рабочая температура
0…+85 °C
Объем памяти
4 Гбит (512 МБ на чип)
Напряжение питания
1,2 В (VDD/VDDQ, диапазон 1,14–1,26 В)
Тип памяти
DDR4 SDRAM (JEDEC)
Тип корпуса
78‑ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
11×7,5 мм
Скорость и частота
2666 MT/s (PC4‑21300), тактовая частота 1333 МГц
CAS Latency (CL)
CL19 при 2666 MT/s
шт
Подписаться

K4A4G085WE‑BCRC — DDR4 SDRAM 4 Гбит, 2400 MT/s, 1,2 В, 78‑ball FBGA, x8

Артикул
K4A4G085WE-BCRC
Производитель
Samsung
Рабочая температура
0…+85 °C
Объем памяти
4 Гбит (512 МБ на чип)
Напряжение питания
1,2 В (VDD/VDDQ, диапазон 1,14–1,26 В)
Тип памяти
DDR4 SDRAM (JEDEC)
Тип корпуса
78‑ball FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
Размеры корпуса
11×7,5 мм
Скорость и частота
2400 MT/s (PC4‑19200), тактовая частота 1200 МГц
CAS Latency (CL)
CL17 при 2400 MT/s
шт
Подписаться

Наши партнёры

Мы предлагаем огромный выбор электронных компонентов различных брендов, с которыми сотрудничаем на протяжении многих лет.

Мы в социальных сетях


Пожаловаться на контент cайта в Битрикс24