MT41K256M16TW‑107 IT:P — DDR3L SDRAM, 512 МБ, 2133 МТ/с, 96‑FBGA
- Артикул
- MT41K256M16TW-107 IT:P
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- −40…+95 °C
- Объем памяти
- 4 Гбит (512 МБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,35 В (номинально, диапазон 1,283–1,45 В); допускается работа и при 1,5 В (обратная совместимость с DDR3)
- Тип памяти
- DDR3L SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑3
- Тип корпуса
- 96‑контактный FBGA (Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 8×14 мм
- Скорость и частота
- 2133 МТ/с, тактовая частота 1066 МГц
- CAS Latency (CL)
- 10 (2133 МТ/с, 10‑10‑10)
шт
MT41K256M16TW‑093:P — DDR3L SDRAM, 512 МБ, 1866 МТ/с, 96‑FBGA
- Артикул
- MT41K256M16TW-093:P
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- 0…+95 °C
- Объем памяти
- 4 Гбит (512 МБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,35 В (номинально, диапазон 1,283–1,45 В); допускается работа и при 1,5 В (обратная совместимость с DDR3)
- Тип памяти
- DDR3L SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑3
- Тип корпуса
- 96‑контактный FBGA (Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 8×14 мм
- Скорость и частота
- 1866 МТ/с, тактовая частота 1066 МГц
- CAS Latency (CL)
- 14 (для 1866 МТ/с)
шт
MT41K128M16JT‑107:K — DDR3L SDRAM, 256 МБ, 2133 МТ/с, 96‑FBGA
- Артикул
- MT41K128M16JT-107:K
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- 0…+95 °C
- Объем памяти
- 2 Гбит (256 МБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,35 В (номинально, диапазон 1,283–1,45 В); допускается работа и при 1,5 В (обратная совместимость с DDR3)
- Тип памяти
- DDR3L SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑3.
- Тип корпуса
- 96‑контактный FBGA (Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 8×14 мм
- Скорость и частота
- 2133 МТ/с, тактовая частота 1066 МГц
- CAS Latency (CL)
- 10 (2133 МТ/с, 10‑10‑10)
шт
MT41K128M16JT‑107 IT:K — DDR3L SDRAM, 256 МБ, 2133 МТ/с, 96‑FBGA
- Артикул
- MT41K128M16JT-107 IT:K
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- −40…+95 °C
- Объем памяти
- 2 Гбит (256 МБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,35 В (номинально, диапазон 1,283–1,45 В); допускается работа и при 1,5 В (обратная совместимость с DDR3)
- Тип памяти
- DDR3L SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑3.
- Тип корпуса
- 96‑контактный FBGA (Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 8×14 мм
- Скорость и частота
- 2133 МТ/с, тактовая частота 1066 МГц
- CAS Latency (CL)
- 10 (2133 МТ/с, 10‑10‑10)
шт
MT41J128M16JT‑093:K — DDR3 SDRAM, 256 МБ, 2133 МТ/с, 96‑FBGA
- Артикул
- MT41J128M16JT-093:K
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- 0…+95 °C
- Объем памяти
- 2 Гбит (256 МБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,5 В (номинально, допуск 1,425–1,575 В)
- Тип памяти
- DDR3 SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑3
- Тип корпуса
- 96‑контактный FBGA (Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 8×14 мм
- Скорость и частота
- 2133 МТ/с, тактовая частота 1066 МГц
- CAS Latency (CL)
- 11 (2133 МТ/с, 11‑11‑11)
шт
MT40A1G16KD‑062E:E — DDR4 SDRAM, 2 ГБ, 3200 МТ/с, 78‑TFBGA
- Артикул
- MT40A1G16KD-062E:E
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- 0…+95 °C
- Объем памяти
- 16 Гбит (2 ГБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,2 В (номинально, допуск 1,14–1,26 В), VPP = 2,5 В (номинально, допуск −125/+250 мВ)
- Тип памяти
- DDR4 SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑4
- Тип корпуса
- 78‑контактный TFBGA (Thin Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 7,5×11 мм
- Скорость и частота
- 3200 МТ/с, тактовая частота 1,6 ГГц
- CAS Latency (CL)
- 22 (3200 МТ/с, 22‑22‑22)
шт
MT40A8G4NEA‑062E:F — DDR4 SDRAM, 8 ГБ, 3200 МТ/с, 78‑TFBGA
- Артикул
- MT40A8G4NEA-062E:F
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- 0…+95 °C
- Объем памяти
- 64 Гбит (8 ГБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,2 В (номинально, допуск 1,14–1,26 В), VPP = 2,5 В (номинально, допуск −125/+250 мВ)
- Тип памяти
- DDR4 SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑4
- Тип корпуса
- 78‑контактный TFBGA (Thin Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 7,5×11 мм
- Скорость и частота
- 3200 МТ/с, тактовая частота 1,6 ГГц
- CAS Latency (CL)
- 22 (3200 МТ/с, 22‑22‑22)
шт
MT40A2G16TBB‑062E:F — DDR4 SDRAM, 4 ГБ, 3200 МТ/с, 96‑TFBGA
- Артикул
- MT40A2G16TBB-062E:F
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- 0…+95 °C
- Объем памяти
- 32 Гбит (4 ГБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,2 В (номинально, допуск 1,14–1,26 В), VPP = 2,5 В (номинально, допуск −125/+250 мВ)
- Тип памяти
- DDR4 SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑4
- Тип корпуса
- 96‑контактный TFBGA (Thin Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 7,5×13 мм
- Скорость и частота
- 3200 МТ/с, тактовая частота 1,6 ГГц.
- CAS Latency (CL)
- 22 (3200 МТ/с, 22‑22‑22)
шт
MT40A512M16TB‑062E:R — DDR4 SDRAM, 1 ГБ, 3200 МТ/с, 96‑TFBGA
- Артикул
- MT40A512M16TB-062E:R
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- 0…+95 °C
- Объем памяти
- 8 Гбит (1 ГБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,2 В (номинально, допуск 1,14–1,26 В), VPP = 2,5 В (номинально, допуск −125/+250 мВ)
- Тип памяти
- DDR4 SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑4
- Тип корпуса
- 96‑контактный TFBGA (Thin Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 7,5×13 мм
- Скорость и частота
- 3200 МТ/с, тактовая частота 1,6 ГГц
- CAS Latency (CL)
- 22 (3200 МТ/с, 22‑22‑22)
шт
MT40A2G8SA‑062E IT:F — DDR4 SDRAM, 2 ГБ, 3200 МТ/с, 78‑FBGA
- Артикул
- MT40A2G8SA-062E IT:F
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- −40…+95 °C
- Объем памяти
- 16 Гбит (2 ГБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,2 В (номинально, допуск 1,14–1,26 В), VPP = 2,5 В (номинально, допуск −125/+250 мВ)
- Тип памяти
- DDR4 SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑4
- Тип корпуса
- 78‑контактный FBGA (Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 7,5×11×0,92 мм
- Скорость и частота
- 3200 МТ/с, тактовая частота 1,6 ГГц.
- CAS Latency (CL)
- 22 (3200 МТ/с, 22‑22‑22)
шт
MT40A512M16TB‑062E IT:R — DDR4 SDRAM, 1 ГБ, 3200 МТ/с, 96‑TFBGA
- Артикул
- MT40A512M16TB-062E IT:R
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- −40…+95 °C
- Объем памяти
- 8 Гбит (1 ГБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,2 В (номинально, допуск 1,14–1,26 В), VPP = 2,5 В (номинально, допуск −125/+250 мВ)
- Тип памяти
- DDR4 SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑4
- Тип корпуса
- 96‑контактный TFBGA (Thin Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 7,5×13,5×1,2 мм.
- Скорость и частота
- 3200 МТ/с, тактовая частота 1,6 ГГц
- CAS Latency (CL)
- 22 (3200 МТ/с, 22‑22‑22)
шт
MT40A1G8SA‑062E:R — DDR4 SDRAM, 1 ГБ, 3200 МТ/с, 78‑FBGA
- Артикул
- MT40A1G8SA-062E:R
- Производитель
- Micron Technology
- Рабочая температура
- 0…+95 °C
- Объем памяти
- 8 Гбит (1 ГБ)
- Напряжение питания
- VDD/VDDQ = 1,2 В (номинально, допуск 1,14–1,26 В)
- Тип памяти
- DDR4 SDRAM, соответствует стандарту JEDEC JESD79‑4
- Тип корпуса
- 78‑контактный FBGA (Fine‑pitch Ball Grid Array)
- Размеры корпуса
- 7,5×11×0,92 мм
- Скорость и частота
- 3200 МТ/с, тактовая частота 1,6 ГГц
- CAS Latency (CL)
- 22 (3200 МТ/с, 22‑22‑22)
шт
