IRLD110PBF
Транзистор: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Документация PDF-файл
Всю необходимую информацию по транзисторам можно узнать здесь: Официальный сайт "СМКомплект ЭК"
Документация PDF-файл
Всю необходимую информацию по транзисторам можно узнать здесь: Официальный сайт "СМКомплект ЭК"
- Артикул IRLD110PBF
- Производитель VISHAY
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C
- Вид монтажа Through Hole
- Корпус 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Напряжение сток-исток ( (Vdss) 100 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 600mA, 5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V
- Vgs (Max) ±10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
- Рассеивание мощности (Макс) 1.3W (Ta)
