Транзистор — для устройства пропуска тока через сопротивление, полупроводниковый триод — электронный компонент из полупроводникового материала, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
NDS351N
- Артикул
- NDS351N
- Производитель
- ON Semiconductor
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 30 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 1.1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 160mOhm @ 1.4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 3.5 nC @ 5 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 140 pF @ 10 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 500mW (Ta)
18 ₽
шт
IRC840
- Артикул
- IRC840
- Производитель
- VISHAY
- Тип упаковки
- Cut Tape
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C
- Корпус
- TO220AB
200 ₽
шт
BSH203
- Артикул
- BSH203
- Производитель
- NEXPERIA
- Тип упаковки
- Cut Tape
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип транзистора
- P-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 30 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 470mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 900mOhm @ 280mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 680mV @ 1mA (Typ)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 2.2 nC @ 4.5 V
- Vgs (Max)
- ±8V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 110 pF @ 24 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 417mW (Ta)
10 ₽
шт
BFG540
- Артикул
- BFG540
- Производитель
- NEXPERIA
- Тип упаковки
- Cut Tape
- Рабочая температура
- 175°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- SC-82A, SOT-343
- Тип транзистора
- NPN
- Максимальный Ток Коллектора (Ic)
- 120mA
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
- 15V
- Трансформация частоты
- 9GHz
- Рассеивание мощности (Макс)
- 500mW
- Уровень шума
- 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
- Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
- 100 @ 40mA, 8V
15 ₽
шт
MMSF3P02HDR2G
- Артикул
- MMSF3P02HDR2G
- Производитель
- ON Semiconductor
- Тип упаковки
- Cut Tape
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 20 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 5.6A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 75mOhm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 46 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1400 pF @ 16 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 2.5W (Ta)
200 ₽
шт
MRF136
- Артикул
- MRF136
- Производитель
- MACOM
- Корпус
- 211-07
- Частота
- 400MHz
- Тип транзистора
- N-Channel
- Усиление
- 16dB
- Тестовое напряжение
- 28 V
- Тестовый ток
- 25 mA
- Мощность передачи
- 15W
- Нормальное напряжение
- 65 V
- Уровень шума
- 1dB
2 800 ₽
шт
MRF6VP2600HR6
- Артикул
- MRF6VP2600HR6
- Производитель
- NXP Semiconductor
- Тип упаковки
- Cut Tape
- Корпус
- NI-1230
- Частота
- 225MHz
- Тип транзистора
- LDMOS (Dual)
- Усиление
- 25dB
- Тестовое напряжение
- 50 V
- Тестовый ток
- 2.6 A
- Мощность передачи
- 125W
- Нормальное напряжение
- 110 V
1 500 ₽
шт
IPS5451S
- Артикул
- IPS5451S
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Рабочая температура
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение питания
- Not Required
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
- Число входов/выходов
- 1
- Особенности
- Auto Restart
- Конфигурация выхода
- High Side
- Тип выходного сигнала
- N-Channel
- Выходной ток
- 3.5A
- Интерфейс
- On/Off
- Напряжение нагрузки
- 5.5V ~ 18V
- Тип входа
- Non-Inverting
- Тип переключения
- General Purpose
- Отношение вход/выход
- 1:1
- Сопротивление Rds On (Номинальное)
- 19mOhm
20 ₽
шт
IRLR024NTRLPbF
- Артикул
- IRLR024NTRLPbF
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Тип упаковки
- Tape & Reel
- Рабочая температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 55 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 17A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 65mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 15 nC @ 5 V
- Vgs (Max)
- ±16V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 480 pF @ 25 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 45W (Tc)
120 ₽
шт
IRLMS2002
- Артикул
- IRLMS2002
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Тип упаковки
- Tape & Reel
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- SOT-23-6
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 20 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 6.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 1.2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 22 nC @ 5 V
- Vgs (Max)
- ±12V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1310 pF @ 15 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 2W (Ta)
50 ₽
шт
IRLML2803TR
- Артикул
- IRLML2803TR
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Тип упаковки
- Tape & Reel
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 30 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 1.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 250mOhm @ 910mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 1V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 5 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 85 pF @ 25 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 540mW (Ta)
4 ₽
шт
Не нашли то что искали?
Оставьте заявку и мы привезем все что необходимо!
