CRM-Форма в сплывающем окне Выберите этот блок в качестве ссылки любой кнопки
Транзистор — для устройства пропуска тока через сопротивление, полупроводниковый триод — электронный компонент из полупроводникового материала, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
MMSF3P02HDR2G
- Артикул
- MMSF3P02HDR2G
- Производитель
- ON Semiconductor
- Тип упаковки
- Cut Tape
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 20 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 5.6A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 75mOhm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 46 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1400 pF @ 16 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 2.5W (Ta)
200 ₽
шт
MRF136
- Артикул
- MRF136
- Производитель
- MACOM
- Корпус
- 211-07
- Частота
- 400MHz
- Тип транзистора
- N-Channel
- Усиление
- 16dB
- Тестовое напряжение
- 28 V
- Тестовый ток
- 25 mA
- Мощность передачи
- 15W
- Нормальное напряжение
- 65 V
- Уровень шума
- 1dB
2 800 ₽
шт
MRF6VP2600HR6
- Артикул
- MRF6VP2600HR6
- Производитель
- NXP Semiconductor
- Тип упаковки
- Cut Tape
- Корпус
- NI-1230
- Частота
- 225MHz
- Тип транзистора
- LDMOS (Dual)
- Усиление
- 25dB
- Тестовое напряжение
- 50 V
- Тестовый ток
- 2.6 A
- Мощность передачи
- 125W
- Нормальное напряжение
- 110 V
1 500 ₽
шт
IPS5451S
- Артикул
- IPS5451S
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Рабочая температура
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение питания
- Not Required
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
- Число входов/выходов
- 1
- Особенности
- Auto Restart
- Конфигурация выхода
- High Side
- Тип выходного сигнала
- N-Channel
- Выходной ток
- 3.5A
- Интерфейс
- On/Off
- Напряжение нагрузки
- 5.5V ~ 18V
- Тип входа
- Non-Inverting
- Тип переключения
- General Purpose
- Отношение вход/выход
- 1:1
- Сопротивление Rds On (Номинальное)
- 19mOhm
20 ₽
шт
IRLR024NTRLPbF
- Артикул
- IRLR024NTRLPbF
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Тип упаковки
- Tape & Reel
- Рабочая температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 55 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 17A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 65mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 15 nC @ 5 V
- Vgs (Max)
- ±16V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 480 pF @ 25 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 45W (Tc)
120 ₽
шт
IRLMS2002
- Артикул
- IRLMS2002
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Тип упаковки
- Tape & Reel
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- SOT-23-6
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 20 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 6.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 1.2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 22 nC @ 5 V
- Vgs (Max)
- ±12V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1310 pF @ 15 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 2W (Ta)
50 ₽
шт
IRLML2803TR
- Артикул
- IRLML2803TR
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Тип упаковки
- Tape & Reel
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 30 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 1.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 250mOhm @ 910mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 1V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 5 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 85 pF @ 25 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 540mW (Ta)
4 ₽
шт
IRG4BC30WPbF
- Артикул
- IRG4BC30WPbF
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Through Hole
- Корпус
- TO-220-3
- Тип входа
- Standard
- Максимальный Ток Коллектора (Ic)
- 23 A
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
- 600 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 100 W
- Коллекторный ток (Icm)
- 92 A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
- 2.7V @ 15V, 12A
- Энергия переключения
- 130µJ (on), 130µJ (off)
- Заряд затвора
- 51 nC
- Td (on/off) @ 25°C
- 25ns/99ns
- Условие испытаний
- 480V, 12A, 23Ohm, 15V
150 ₽
шт
IRFP360
- Артикул
- IRFP360
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Through Hole
- Корпус
- TO-247-3
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 400 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 23A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 200mOhm @ 14A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 210 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 4500 pF @ 25 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 280W (Tc)
260 ₽
шт
IRFP22N60KPBF
- Артикул
- IRFP22N60KPBF
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Through Hole
- Корпус
- TO-247-3
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 600 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 22A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 280mOhm @ 13A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 5V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 150 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 3570 pF @ 25 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 370W (Tc)
350 ₽
шт
IRF9Z34NS
- Артикул
- IRF9Z34NS
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Тип упаковки
- Tube
- Рабочая температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип полевого транзистора
- P-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 55 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 19A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 100mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
- 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 35 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 620 pF @ 25 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 3.8W (Ta), 68W (Tc)
85 ₽
шт
IRF7809AVTRPBF
- Артикул
- IRF7809AVTRPBF
- Производитель
- INFINEON TECHNOLOGIES
- Тип упаковки
- Tape & Reel
- Рабочая температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа
- Surface Mount
- Корпус
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss)
- 30 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 13.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 9mOhm @ 15A, 4.5V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 62 nC @ 5 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 3780 pF @ 16 V
- Рассеивание мощности (Макс)
- 2.5W (Ta)
90 ₽
шт
Наши партнёры
Мы предлагаем огромный выбор электронных компонентов различных брендов, с которыми сотрудничаем на протяжении многих лет.
© 2025 Интернет-магазин электронных компонентов.